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三星电子在高带宽内存(HBM4)领域取得关键进展,其芯片已通过量产准备认证(PRA),并准备向英伟达供货。
12月2日,据媒体报道,三星电子近日完成了HBM4的量产准备认证(PRA)。该芯片已达到三星内部量产标准,公司计划加快其进入英伟达供应链的步伐。
若获得英伟达的供货资格,三星电子在AI芯片供应链中的地位将显著提升。英伟达CEO黄仁勋此前表示不排除与三星电子合作的可能性。他强调:“三星的HBM显存芯片测试合格,合作进展顺利。”
此前,在HBM4供应谈判中,SK海力士已取得主导地位,成功将芯片单价推高逾50%至每颗500美元以上,进一步巩固了其在高端存储市场的定价优势。
三星电子加速追赶,内部测试传来利好消息
三星电子近日已完成HBM4的量产准备认证(PRA)。作为三星内部质量认证流程的最后一步,PRA被视为产品量产的关键节点,意味着其HBM4已达到公司内部量产标准。行业普遍认为,此次通过PRA将对其后续通过英伟达最终质量测试(Qualtest)产生积极影响,并加速进入英伟达供应链进程。
三星电子最初计划在年内完成HBM4性能评估并启动量产,但因此前未通过英伟达质量测试而转向专注设计优化,重点改进散热表现等关键指标。近期,公司通过优化基于1c节点的DRAM成熟度,并结合4纳米逻辑工艺提升基础芯片性能,显著缩小了与竞争对手的技术差距。
值得关注的是,HBM4的制造依赖DRAM工艺、基础芯片设计与TSV对准精度等多种技术的复杂整合,这些因素共同决定了芯片的发热控制与能效水平。三星电子的突破,有望改变当前HBM市场的竞争格局。目前,英伟达正积极确保HBM供应,以为其下一代GPU“Rubin”在明年下半年的量产做准备,这为三星电子提供了重要市场窗口。
SK海力士抢占先机,HBM4涨价逾50%获英伟达认可
SK海力士在与英伟达的HBM4供应谈判中展现强势议价能力。该公司成功将HBM4价格推升至“500美元中半带”,较前代产品涨幅超过50%。这一价格调整充分反映出其在高端HBM市场的优势地位。
技术升级为大幅提价提供支撑。HBM4的数据传输通道(I/O)达到2048个,是前代HBM3E的两倍。考虑到技术进步带来的成本增加,SK海力士已将此前自主生产的基础芯片外包给台积电,以优化供应链并控制整体成本。
尽管英伟达最初对大幅涨价表现抗拒,并曾考虑三星电子和美光未来可能的大规模供应,导致双方谈判一度陷入僵持,但最终供应价格仍敲定在SK海力士提议的水平。SK海力士高管强调,考虑到工艺进步和投入成本,HBM4具备大幅提价的结构性因素。
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